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射频磁控溅射法制备N掺杂β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的光学特性

在不同氨分压比(0~30%)下，用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性......

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射频磁控溅射透明导电氧化物光学带隙退火 N掺杂β-Ga2O3 RF magnetron sputtering Transparent conductive

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